AI需求推动叠加资本支出不足 存储产业链有望迎“超级周期”

摩根士丹利指出,由于DRAM厂新增产能有限和HBM消耗大量产能,DRAM正面临前所未有的供需失衡“超级周期”,预计明年标准型DRAM供应缺口高达23%,价格将持续上涨。大摩调升了今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期的8%和10%分别上调至13%和20%。人工智能需求的推动和过去两年资本支出不足,使得内存市场迎来前所未有的“超级周期”,预计存储行业将进入新一轮上行周期,行业存在较大的反弹空间。银河证券研报指出,存储芯片赛道属于高成长强周期行业,当前是存储芯片赛道下一轮周期的新起点。在AI、国产化、需求复苏和数字经济需求的推动下,看好存储产业链的投资机遇。相关上市公司中,兆易创新产品包括NorFlash、SLCNANDFlash、DRAM、MCU等系列产品,预计2024年SLCNAND价格呈温和上涨趋势。澜起科技是全球三家主流DDR5内存接口芯片供应商之一,行业地位领先,已推出DDR5第四子代RCD芯片,支持数据速率为7200MT/S,并已送样给主要内存厂商。

上一篇:

下一篇:

联系我们

400-800-8888

在线咨询: QQ交谈

邮件:admin@example.com

工作时间:周一至周五,9:30-18:30,节假日休息

关注微信